MOSFET de puissance 2 canal Type P Isolé Vishay 6.5 A 40 V Enrichissement, 8 broches, SOIC TrenchFET Non
- Code commande RS:
- 165-6282
- Référence fabricant:
- SI4909DY-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
1 055,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,422 € | 1 055,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 165-6282
- Référence fabricant:
- SI4909DY-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 6.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 34mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 3.2W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 41.5nC | |
| Configuration du transistor | Isolé | |
| Température d'utilisation maximum | +150°C | |
| Largeur | 4mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.55mm | |
| Longueur | 5mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 6.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Série TrenchFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 34mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 3.2W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 41.5nC | ||
Configuration du transistor Isolé | ||
Température d'utilisation maximum +150°C | ||
Largeur 4mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.55mm | ||
Longueur 5mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET à double canal P, Vishay Semiconductors
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
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