MOSFET Vishay canal P, SOIC 4 A 20 V, 8 broches

Name: MOSFET Vishay canal P, SOIC 4 A 20 V, 8 broches
Brand: Vishay
SKU: 710-3395
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Attribut	Valeur
Type de canal	P
Courant continu de Drain maximum	4 A
Tension Drain Source maximum	20 V
Type de boîtier	SOIC
Type de montage	CMS
Nombre de broches	8
Résistance Drain Source maximum	58 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille	0.6V
Dissipation de puissance maximum	2000 mW
Configuration du transistor	Isolé
Tension Grille Source maximum	-12 V, +12 V
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Charge de Grille type @ Vgs	17 nC @ 10 V, 8 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor	Si
Nombre d'éléments par circuit	2
Largeur	4mm
Longueur	5mm
Température de fonctionnement minimum	-50 °C
Hauteur	1.55mm