MOSFET canal N DiodesZetex 2.5 A 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 DMN AEC-Q101

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

186,00 €

HT

222,00 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • 15 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
  • Plus 3 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 20 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,062 €186,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
165-8337
Référence fabricant:
DMN6075S-7
Marque:
DiodesZetex
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

DiodesZetex

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

2.5A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

SOT-23

Série

DMN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

120mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

12.3nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Dissipation de puissance maximum Pd

1.15W

Tension directe Vf

1.2V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

1.4mm

Normes/homologations

No

Hauteur

1mm

Longueur

3mm

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN

Transistor MOSFET à canal N, 40 à 90 V, Diodes Inc


Transistors MOSFET, Diodes Inc.


Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.