MOSFET canal N DiodesZetex 1.6 A 100 V Enrichissement, 4 broches, SOT-23 DMN AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

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Code commande RS:
165-8362
Référence fabricant:
DMN10H220L-7
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

1.6A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

SOT-23

Série

DMN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

250mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

700mV

Tension maximale de source de la grille Vgs

-16V, +16V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

8.3nC

Dissipation de puissance maximum Pd

1.3W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

3mm

Hauteur

1mm

Largeur

1.4mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

Pays d'origine :
CN

Transistor MOSFET à canal N, 100 V à 950 V, Diodes Inc


Transistors MOSFET, Diodes Inc.


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