MOSFET canal N Double DiodesZetex 217 mA 60 V Enrichissement, 6 broches, US DMN AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

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Code commande RS:
222-2847
Référence fabricant:
DMN66D0LDWQ-7
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

217mA

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

DMN

Type de Boitier

US

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

6Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

800mV

Dissipation de puissance maximum Pd

250mW

Température d'utilisation maximum

150°C

Configuration du transistor

Double

Largeur

1.3mm

Longueur

2.15mm

Hauteur

950μm

Normes/homologations

RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0

Standard automobile

AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

Le transistor MOSFET DiodesZetex à double canal N est conçu pour répondre aux exigences rigoureuses des applications automobiles. Il est certifié AEC-Q101, pris en charge par un PPAP.

Transistor MOSFET à double canal N

Faible résistance à état passant

Tension de seuil basse de la grille

Faible capacité d'entrée

Vitesse de commutation élevée

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