MOSFET canal N Double DiodesZetex 217 mA 60 V Enrichissement, 6 broches, US DMN AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

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Code commande RS:
222-2848
Référence fabricant:
DMN66D0LDWQ-7
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

217mA

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

US

Série

DMN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

6Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

250mW

Tension directe Vf

800mV

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Configuration du transistor

Double

Hauteur

950μm

Normes/homologations

RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0

Longueur

2.15mm

Largeur

1.3mm

Standard automobile

AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

Le transistor MOSFET DiodesZetex à double canal N est conçu pour répondre aux exigences rigoureuses des applications automobiles. Il est certifié AEC-Q101, pris en charge par un PPAP.

Transistor MOSFET à double canal N

Faible résistance à état passant

Tension de seuil basse de la grille

Faible capacité d'entrée

Vitesse de commutation élevée

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