MOSFET canal N DiodesZetex 8 A 30 V Enrichissement, 8 broches, SOIC DMN AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

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823-3233
Référence fabricant:
DMN4800LSSL-13
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

8A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

DMN

Type de Boitier

SOIC

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

20mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Tension directe Vf

940mV

Dissipation de puissance maximum Pd

1.46W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

8.7nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

1.5mm

Normes/homologations

No

Largeur

3.95mm

Longueur

4.95mm

Standard automobile

AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

Transistor MOSFET à canal N, 30 V, Diodes Inc


Transistors MOSFET, Diodes Inc.


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