MOSFET canal N DiodesZetex 8 A 30 V Enrichissement, 8 broches, SOIC DMN AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

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Code commande RS:
823-3233
Référence fabricant:
DMN4800LSSL-13
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

8A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

SOIC

Série

DMN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

20mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

1.46W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

8.7nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

940mV

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

3.95mm

Normes/homologations

No

Longueur

4.95mm

Hauteur

1.5mm

Standard automobile

AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

Transistor MOSFET à canal N, 30 V, Diodes Inc


Transistors MOSFET, Diodes Inc.


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