MOSFET canal N DiodesZetex 8 A 30 V Enrichissement, 8 broches, SOIC DMN AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- Code commande RS:
- 165-8895
- Référence fabricant:
- DMN4800LSSL-13
- Marque:
- DiodesZetex
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
340,00 €
HT
407,50 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 27 janvier 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,136 € | 340,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 165-8895
- Référence fabricant:
- DMN4800LSSL-13
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 8A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | DMN | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 20mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 940mV | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 8.7nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.46W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 4.95mm | |
| Hauteur | 1.5mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 3.95mm | |
| Standard automobile | AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 8A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série DMN | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 20mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 940mV | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 8.7nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.46W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 4.95mm | ||
Hauteur 1.5mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 3.95mm | ||
Standard automobile AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET à canal N, 30 V, Diodes Inc
Transistors MOSFET, Diodes Inc.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N DiodesZetex 8 A 30 V Enrichissement SOIC DMN AEC-Q200 AEC-Q101
- MOSFET canal N DiodesZetex 5 A 60 V Enrichissement SOIC DMN AEC-Q101
- MOSFET canal N Double DiodesZetex 217 mA 60 V Enrichissement US DMN AEC-Q101 AEC-Q200
- MOSFET canal N Double DiodesZetex 261 mA 60 V Enrichissement US DMN AEC-Q200 AEC-Q100
- MOSFET canal N Double DiodesZetex 800 mA 30 V Enrichissement US DMN AEC-Q100 AEC-Q101
- MOSFET canal N DiodesZetex 9.4 A 20 V Enrichissement UDFN DMN AEC-Q100 AEC-Q101
- MOSFET canal N DiodesZetex 1.6 A 100 V Enrichissement SOT-23 DMN AEC-Q200 AEC-Q101
- MOSFET canal N DiodesZetex 4 A 60 V Enrichissement PowerDI3333-8 DMN AEC-Q101