MOSFET 2 canal N Double DiodesZetex 800 mA 30 V Enrichissement, 6 broches, US DMN3401 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- Code commande RS:
- 206-0084
- Référence fabricant:
- DMN3401LDW-7
- Marque:
- DiodesZetex
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 0,055 € | 165,00 € |
| 9000 - 21000 | 0,053 € | 159,00 € |
| 24000 - 42000 | 0,052 € | 156,00 € |
| 45000 + | 0,051 € | 153,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 206-0084
- Référence fabricant:
- DMN3401LDW-7
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 800mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | DMN3401 | |
| Type de Boitier | US | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 700mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 0.35W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Configuration du transistor | Double | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 950μm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 1.3mm | |
| Longueur | 2.15mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 800mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série DMN3401 | ||
Type de Boitier US | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 700mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 0.35W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Configuration du transistor Double | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 950μm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 1.3mm | ||
Longueur 2.15mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET à double mode d'amélioration canal N DiodesZetex 30 V est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement. Sa tension de grille-source est de 20 V avec une dissipation thermique de 0,29 W.
Faible résistance à l'état passant
Faible capacité d'entrée
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