MOSFET 1 canal Type N Double DiodesZetex 460 mA 50 V Enrichissement, 3 broches, US DMN53D0LDWQ AEC-Q200, AEC-Q100,

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Code commande RS:
213-9190
Référence fabricant:
DMN53D0LDWQ-7
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

460mA

Tension Drain Source maximum Vds

50V

Type de Boitier

US

Série

DMN53D0LDWQ

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0016Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

310W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20 V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

0.6nC

Tension directe Vf

0.8V

Configuration du transistor

Double

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

1.35 mm

Longueur

2.15mm

Hauteur

0.95mm

Normes/homologations

J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101

Nombre d'éléments par circuit

1

Standard automobile

AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

La série DiodesZetex DMN53D0LDWQ est un transistor MOSFET à canal N double conçu pour répondre aux exigences rigoureuses des applications automobiles.

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