MOSFET 1 canal Type N Double DiodesZetex 460 mA 50 V Enrichissement, 3 broches, US DMN53D0LDWQ AEC-Q200, AEC-Q100,

Voir la catégorie
Prix dégressifs sur quantité

Sous-total (1 paquet de 50 unités)*

14,15 €

HT

17,00 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • 5 950 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
50 - 500,283 €14,15 €
100 - 2000,248 €12,40 €
250 - 4500,243 €12,15 €
500 - 9500,22 €11,00 €
1000 +0,198 €9,90 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
213-9191
Référence fabricant:
DMN53D0LDWQ-7
Marque:
DiodesZetex
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

DiodesZetex

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

460mA

Tension Drain Source maximum Vds

50V

Série

DMN53D0LDWQ

Type de Boitier

US

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0016Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20 V

Tension directe Vf

0.8V

Dissipation de puissance maximum Pd

310W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

0.6nC

Configuration du transistor

Double

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

0.95mm

Longueur

2.15mm

Largeur

1.35 mm

Normes/homologations

J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101

Nombre d'éléments par circuit

1

Standard automobile

AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

La série DiodesZetex DMN53D0LDWQ est un transistor MOSFET à canal N double conçu pour répondre aux exigences rigoureuses des applications automobiles.

Faible capacité d'entrée

Vitesse de commutation élevée

Nos clients ont également consulté