MOSFET 1 canal N Double DiodesZetex 460 mA 50 V Enrichissement, 3 broches, US DMN53D0LDWQ AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

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Code commande RS:
213-9191
Référence fabricant:
DMN53D0LDWQ-7
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

460mA

Tension Drain Source maximum Vds

50V

Type de Boitier

US

Série

DMN53D0LDWQ

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0016Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

800mV

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

0.6nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

310W

Configuration du transistor

Double

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

1.35mm

Longueur

2.15mm

Hauteur

950μm

Normes/homologations

J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101

Nombre d'éléments par circuit

1

Standard automobile

AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

La série DiodesZetex DMN53D0LDWQ est un transistor MOSFET à canal N double conçu pour répondre aux exigences rigoureuses des applications automobiles.

Faible capacité d'entrée

Vitesse de commutation élevée

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