MOSFET 2 canal N Double DiodesZetex 318 mA 60 V Enrichissement, 6 broches, US Non
- Code commande RS:
- 246-7520
- Référence fabricant:
- DMN61D9UDWQ-7
- Marque:
- DiodesZetex
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 246-7520
- Référence fabricant:
- DMN61D9UDWQ-7
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 318mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | US | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3.5Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.4V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 0.37W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Configuration du transistor | Double | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 318mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier US | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3.5Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.4V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 0.37W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Configuration du transistor Double | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
Le DiodesZetex crée un MOSFET à mode d'amélioration double canal N, conçu pour répondre aux exigences strictes des applications automobiles. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré dans un boîtier SOT363. Il offre une commutation rapide et un haut rendement.
La tension maximale drain-source est de 60 V et la tension maximale grille-source est de ±20 V. Il offre un boîtier de très petite taille. Il présente une faible fuite d'entrée/sortie
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