MOSFET 1 canal N Double DiodesZetex 1 A 30 V Enrichissement, 6 broches, US DMN3190LDWQ AEC-Q101

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Code commande RS:
213-9185
Référence fabricant:
DMN3190LDWQ-7
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

1A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

US

Série

DMN3190LDWQ

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

0.19Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

0.9nC

Dissipation de puissance maximum Pd

0.4W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.2V

Configuration du transistor

Double

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

2.1mm

Normes/homologations

UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020

Hauteur

950μm

Longueur

2.15mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor MOSFET série DiodesZetex DMN3190LDWQ est conçu pour répondre aux exigences rigoureuses des applications automobiles.

Faible capacité d'entrée

Vitesse de commutation élevée

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