Références fabricant

MOSFET canal N DiodesZetex 360 mA 50 V Enrichissement, 3 broches, SC-70 DMN53D0LW AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

Code commande RS:: 165-8660
Référence fabricant:: DMN53D0LW-7
Marque:: DiodesZetex

MOSFET canal N DiodesZetex 360 mA 50 V Enrichissement, 3 broches, SC-70 DMN53D0LW AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

117,00 €

141,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,039 €	117,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 165-8660
Référence fabricant:: DMN53D0LW-7
Marque:: DiodesZetex

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	DiodesZetex
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	360mA
	Tension Drain Source maximum Vds	50V
	Type de Boitier	SC-70
	Série	DMN53D0LW
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	3Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	1.2nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	420mW
	Tension directe Vf	750mV
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Normes/homologations	No
	Largeur	1.35mm
	Hauteur	1mm
	Longueur	2.2mm
	Standard automobile	AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

	Sélectionner tout
	Marque DiodesZetex
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 360mA
	Tension Drain Source maximum Vds 50V
	Type de Boitier SC-70
	Série DMN53D0LW
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 3Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 1.2nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 420mW
	Tension directe Vf 750mV
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Normes/homologations No
	Largeur 1.35mm
	Hauteur 1mm
	Longueur 2.2mm
	Standard automobile AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

DMN53D0LW N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Pays d'origine :: CN

Transistor MOSFET à canal N, 40 à 90 V, Diodes Inc

Transistors MOSFET, Diodes Inc.

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