MOSFET canal N Nexperia 76 A 30 V Enrichissement, 4 broches, SOT-669

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Code commande RS:
165-9987
Référence fabricant:
PSMN7R0-30YL,115
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

76A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

SOT-669

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

7mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

22nC

Dissipation de puissance maximum Pd

51W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Longueur

5mm

Largeur

4.1mm

Hauteur

1.1mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
PH

MOSFET N-Channel, jusqu'à 30 V.


Transistors MOSFET, NXP Semiconductors


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