MOSFET onsemi canal N, Puissance 33 7,5 A 100 V, 8 broches

Code commande RS:: 166-1665
Référence fabricant:: FDMC86116LZ
Marque:: onsemi

MOSFET onsemi canal N, Puissance 33 7,5 A 100 V, 8 broches

480 En stock pour livraison sous 3 jour(s)

Uniquement disponible en livraison standard

Prix pour l'unité (en bobine de 3000)

0,387 €

0,464 €

Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,387 €	1 161,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 166-1665
Référence fabricant:: FDMC86116LZ
Marque:: onsemi

FDMC86116LZ, N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V 7.5A 103mOhm Data Sheet

Nos clients ont également consulté

MOSFET onsemi canal N, Puissance 33 7,5 A 100 V, 8 broches
MOSFET onsemi canal N, Puissance 33 80 A 40 V, 8 broches
MOSFET onsemi canal N, Puissance 33 30 A 30 V, 8 broches
MOSFET onsemi canal N, Puissance 33 100 A 30 V, 8 broches
MOSFET onsemi canal N, Puissance 33 30 A 100 V, 8 broches
MOSFET onsemi canal N, Puissance 33 9,6 A 30 V, 8 broches
MOSFET onsemi canal N, Puissance 33 22 A 100 V, 8 broches
MOSFET onsemi canal N, Puissance 33 12 A, 16 A 30 V, 8 broches

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	7,5 A
Tension Drain Source maximum	100 V
Série	PowerTrench
Type de boîtier	Puissance 33
Type de montage	CMS
Nombre de broches	8
Résistance Drain Source maximum	178 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille	1V
Dissipation de puissance maximum	19 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Charge de Grille type @ Vgs	2 nC @ 4,5 V, 4 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Nombre d'éléments par circuit	1
Longueur	3.3mm
Matériau du transistor	Si
Largeur	3.3mm
Hauteur	0.75mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

MOSFET onsemi canal N, Puissance 33 7,5 A 100 V, 8 broches

Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, jusqu'à 9,9 A, Fairchild Semiconductor

Nos clients ont également consulté