MOSFET 2 canal N Série onsemi 26 A 30 V Enrichissement, 8 broches, WDFN PowerTrench Non

Code commande RS:: 166-1727
Référence fabricant:: FDPC8013S
Marque:: onsemi

MOSFET 2 canal N Série onsemi 26 A 30 V Enrichissement, 8 broches, WDFN PowerTrench Non

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

2 673,00 €

3 207,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,891 €	2 673,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 166-1727
Référence fabricant:: FDPC8013S
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	26A
	Tension Drain Source maximum Vds	30V
	Série	PowerTrench
	Type de Boitier	WDFN
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	9.2mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	13nC
	Tension directe Vf	800mV
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Dissipation de puissance maximum Pd	2W
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Configuration du transistor	Série
	Normes/homologations	No
	Largeur	3.4mm
	Longueur	3.4mm
	Hauteur	750μm
	Nombre d'éléments par circuit	2
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 26A
	Tension Drain Source maximum Vds 30V
	Série PowerTrench
	Type de Boitier WDFN
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 9.2mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 13nC
	Tension directe Vf 800mV
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Dissipation de puissance maximum Pd 2W
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Configuration du transistor Série
	Normes/homologations No
	Largeur 3.4mm
	Longueur 3.4mm
	Hauteur 750μm
	Nombre d'éléments par circuit 2
	Standard automobile Non

FDPC8013S, PowerTrench Power Clip 30V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET

Pays d'origine :: MY

Transistor MOSFET à double canal N PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

Les transistors MOSFET PowerTrench ® de ON Semis sont optimisés pour la commutation de puissance qui offrent un meilleur rendement du système et une plus grande densité de puissance. Ils combinent une petite charge de grille, une petite récupération inverse et une diode de corps à récupération inverse souple pour contribuer à la commutation rapide de la rectification synchrone dans les alimentations c.a./c.c.

Les performances de la diode à corps souple des transistors MOSFET PowerTrench® permettent d'éliminer les circuits Snubber ou de remplacer un MOSFET d'une tension nominale supérieure.

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

MOSFET 2 canal N Série onsemi 26 A 30 V Enrichissement, 8 broches, WDFN PowerTrench Non

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

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