MOSFET canal N onsemi 30 A 30 V Enrichissement, 8 broches, WDFN PowerTrench
- Code commande RS:
- 166-1728
- Référence fabricant:
- FDMC8010
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
2 370,00 €
HT
2 850,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 24 février 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,79 € | 2 370,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 166-1728
- Référence fabricant:
- FDMC8010
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 30A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | PowerTrench | |
| Type de Boitier | WDFN | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 54W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 67nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 750μm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 3.3mm | |
| Largeur | 3.3mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 30A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série PowerTrench | ||
Type de Boitier WDFN | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 54W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 67nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 750μm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 3.3mm | ||
Largeur 3.3mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, de 20 A à 59,9 A, Fairchild Semiconductor
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N onsemi 30 A 30 V Enrichissement WDFN PowerTrench
- MOSFET canal N onsemi 100 A 30 V Enrichissement WDFN PowerTrench
- MOSFET 2 canal N Série onsemi 26 A 30 V Enrichissement WDFN PowerTrench Non
- MOSFET canal N onsemi 83 A 80 V Enrichissement WDFN PowerTrench
- MOSFET canal N onsemi 238 A 40 V Enrichissement WDFN PowerTrench
- MOSFET canal N onsemi 40 A 150 V Enrichissement WDFN PowerTrench
- MOSFET canal N onsemi 80 A 100 V Enrichissement WDFN PowerTrench
- MOSFET canal N onsemi 64 A 120 V Enrichissement WDFN PowerTrench