MOSFET 2 canal N Isolé onsemi 5.5 A 30 V Enrichissement, 8 broches, SOIC PowerTrench Non
- Code commande RS:
- 166-1789
- Référence fabricant:
- FDS6930B
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 166-1789
- Référence fabricant:
- FDS6930B
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 5.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Série | PowerTrench | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 62mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 3.8nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2W | |
| Configuration du transistor | Isolé | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 4mm | |
| Longueur | 5mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.5mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 5.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Série PowerTrench | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 62mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 3.8nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2W | ||
Configuration du transistor Isolé | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 4mm | ||
Longueur 5mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.5mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET double canal N PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Les MOSFET PowerTrench® de Semis sont des commutateurs de puissance optimisés qui offrent une efficacité accrue du système et une densité de puissance accrue. Ils combinent une faible charge de grille, une faible récupération inverse et une diode de corps à récupération inverse souple pour contribuer à la commutation rapide du redressement synchrone dans les alimentations c. a./c. c.
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