Références fabricant

MOSFET canal N onsemi 220 mA 50 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 BSS138K AEC-Q101

Code commande RS:: 166-1879
Référence fabricant:: BSS138K
Marque:: onsemi

MOSFET canal N onsemi 220 mA 50 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 BSS138K AEC-Q101

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Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 - 6000	0,05 €	150,00 €
9000 - 21000	0,042 €	126,00 €
24000 - 42000	0,041 €	123,00 €
45000 - 96000	0,036 €	108,00 €
99000 +	0,036 €	108,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 166-1879
Référence fabricant:: BSS138K
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	220mA
	Tension Drain Source maximum Vds	50V
	Série	BSS138K
	Type de Boitier	SOT-23
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	2.5Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd	350mW
	Tension directe Vf	1.2V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	12V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	2.4nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Largeur	1.3mm
	Normes/homologations	No
	Longueur	2.92mm
	Hauteur	0.93mm
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 220mA
	Tension Drain Source maximum Vds 50V
	Série BSS138K
	Type de Boitier SOT-23
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 2.5Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd 350mW
	Tension directe Vf 1.2V
	Tension maximale de source de la grille Vgs 12V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 2.4nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Largeur 1.3mm
	Normes/homologations No
	Longueur 2.92mm
	Hauteur 0.93mm
	Standard automobile AEC-Q101

Datasheet

Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor

Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

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