MOSFET N onsemi 8 A 900 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 QFET
- Code commande RS:
- 166-1889
- Référence fabricant:
- FQP9N90C
- Marque:
- onsemi
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- Code commande RS:
- 166-1889
- Référence fabricant:
- FQP9N90C
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 8A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 900V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | QFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.4Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 45nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 205W | |
| Tension directe Vf | 1.4V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 9.4mm | |
| Longueur | 10.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 4.7mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 8A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 900V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série QFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.4Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 45nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 205W | ||
Tension directe Vf 1.4V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 9.4mm | ||
Longueur 10.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 4.7mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET à canal N QFET®, de 6 à 10,9 A, Fairchild Semiconductor
Les nouveaux transistors MOSFET planaires QFET® de Fairchild Semiconductor utilisent une technologie propriétaire avancée pour offrir de meilleures performances d'exploitation pour une large gamme d'applications : alimentations, correction de facteur de puissance, convertisseurs c.c./c.c., écrans plasma, ballasts d'éclairage et contrôle de mouvement.
Ils offrent une réduction des pertes à l'état passant en abaissant la résistance à l'état passant (RDS(on), et une perte de commutation réduite en abaissant la charge de grille (Qg) et la capacité de sortie (Coss). En utilisant la technologie du processus de pointe QFET®, Fairchild peut offrir un meilleure facteur de mérite que les dispositifs MOSFET planaires concurrents.
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
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