MOSFET de puissance 2 canal N Isolé onsemi 7 A 30 V Enrichissement, 8 broches, SOIC PowerTrench Non
- Code commande RS:
- 166-2448
- Référence fabricant:
- FDS8984
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
475,00 €
HT
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,19 € | 475,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 166-2448
- Référence fabricant:
- FDS8984
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 7A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | PowerTrench | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 23mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 9.2nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.6W | |
| Configuration du transistor | Isolé | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 5mm | |
| Largeur | 4mm | |
| Hauteur | 1.5mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 7A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série PowerTrench | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 23mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 9.2nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.6W | ||
Configuration du transistor Isolé | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 5mm | ||
Largeur 4mm | ||
Hauteur 1.5mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET à double canal N, automobile, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor propose des solutions permettant de résoudre des problèmes complexes dans le marché de l'automobile, avec une bonne maîtrise de la qualité, de la sécurité et des normes de fiabilité.
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
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