MOSFET 2 canal N Isolé onsemi 4.7 A 80 V Enrichissement, 8 broches, SOIC PowerTrench Non
- Code commande RS:
- 166-2865
- Référence fabricant:
- FDS3890
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
2 175,00 €
HT
2 600,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 2 500 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,87 € | 2 175,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 166-2865
- Référence fabricant:
- FDS3890
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 4.7A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Série | PowerTrench | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 82mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 0.74V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 25nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Configuration du transistor | Isolé | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 3.9mm | |
| Hauteur | 1.575mm | |
| Longueur | 4.9mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 4.7A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Série PowerTrench | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 82mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 0.74V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 25nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Configuration du transistor Isolé | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 3.9mm | ||
Hauteur 1.575mm | ||
Longueur 4.9mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET à double canal N PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Les transistors MOSFET PowerTrench ® de ON Semis sont optimisés pour la commutation de puissance qui offrent un meilleur rendement du système et une plus grande densité de puissance. Ils combinent une petite charge de grille, une petite récupération inverse et une diode de corps à récupération inverse souple pour contribuer à la commutation rapide de la rectification synchrone dans les alimentations c.a./c.c.
Les performances de la diode à corps souple des transistors MOSFET PowerTrench® permettent d'éliminer les circuits Snubber ou de remplacer un MOSFET d'une tension nominale supérieure.
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET 2 canal Type N Isolé onsemi 4.7 A 80 V Enrichissement SOIC PowerTrench Non
- MOSFET 2 canal Type N Isolé onsemi 6.5 A 20 V Enrichissement SOIC PowerTrench Non
- MOSFET 2 canal Type N Isolé onsemi 6 A 40 V Enrichissement SOIC PowerTrench Non
- MOSFET 2 canal Type N Isolé onsemi 6 A 30 V Enrichissement SOIC PowerTrench Non
- MOSFET 2 canal Type N Isolé onsemi 4.5 A 100 V Enrichissement SOIC PowerTrench Non
- MOSFET 2 canal Type N Isolé onsemi 3.5 A 100 V Enrichissement SOIC PowerTrench Non
- MOSFET 2 canal Type N Isolé onsemi 3.5 A 60 V Enrichissement SOIC PowerTrench Non
- MOSFET 2 canal Type P Isolé onsemi 7 A 30 V Enrichissement SOIC PowerTrench Non