MOSFET canal N onsemi 8.9 A 80 V Enrichissement, 8 broches, SOIC PowerTrench
- Code commande RS:
- 166-2600
- Référence fabricant:
- FDS3572
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 166-2600
- Référence fabricant:
- FDS3572
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 8.9A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Série | PowerTrench | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 16mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 31nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2.5W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 4mm | |
| Longueur | 5mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.5mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 8.9A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Série PowerTrench | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 16mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 31nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2.5W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 4mm | ||
Longueur 5mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.5mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, jusqu'à 9,9 A, Fairchild Semiconductor
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
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