MOSFET canal N onsemi 15 A 30 V Enrichissement, 8 broches, SOIC PowerTrench
- Code commande RS:
- 166-2626
- Référence fabricant:
- FDS8896
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 166-2626
- Référence fabricant:
- FDS8896
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 15A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Série | PowerTrench | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 6mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2.5W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 50nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 4mm | |
| Longueur | 5mm | |
| Hauteur | 1.5mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 15A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Série PowerTrench | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 6mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2.5W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 50nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 4mm | ||
Longueur 5mm | ||
Hauteur 1.5mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, de 10 A à 19,9 A, Fairchild Semiconductor
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N onsemi 15 A 30 V Enrichissement SOIC PowerTrench
- MOSFET canal N onsemi 11 A 30 V Enrichissement SOIC PowerTrench
- MOSFET canal N onsemi 8.5 A 30 V Enrichissement SOIC PowerTrench
- MOSFET canal N onsemi 10.2 A 30 V Enrichissement SOIC PowerTrench
- MOSFET canal N onsemi 11.6 A 30 V Enrichissement SOIC PowerTrench
- MOSFET canal N onsemi 12.5 A 30 V Enrichissement SOIC PowerTrench
- MOSFET canal N onsemi 13 A 30 V Enrichissement SOIC PowerTrench
- MOSFET canal N onsemi 18.5 A 30 V Enrichissement SOIC PowerTrench