MOSFET N onsemi 8 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 PowerTrench

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Code commande RS:
166-2647
Référence fabricant:
FDD86102LZ
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

8A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

TO-252

Série

PowerTrench

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

40mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

54W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

0.82V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

18nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

2.39mm

Largeur

6.22mm

Normes/homologations

No

Longueur

6.73mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, jusqu'à 9,9 A, Fairchild Semiconductor


Transistors MOSFET, ON Semi


On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

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