MOSFET 2 canal N Isolé onsemi 750 mA 30 V Enrichissement, 6 broches, US PowerTrench
- Code commande RS:
- 166-2658
- Référence fabricant:
- FDG8850NZ
- Marque:
- onsemi
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- Code commande RS:
- 166-2658
- Référence fabricant:
- FDG8850NZ
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Type de canal | N | |
| Configuration du transistor | Isolé | |
| Courant continu de Drain maximum (Id) | 750 mA | |
| Tension Drain Source maximum (Vds) | 30 V | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Type de Boitier | US | |
| Série | PowerTrench | |
| Hauteur | 1 mm | |
| Longueur | 2 mm | |
| Résistance Drain Source maximum (Rds) | 400 mΩ | |
| Tension maximale de source de la grille (Vgs) | 12 V, -12 V | |
| Température d'utilisation maximum | 150 °C | |
| Dissipation de puissance maximum (Pd) | 360 mW | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55 °C | |
| Type de montage | En surface | |
| Largeur | 1.25 mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Type de canal N | ||
Configuration du transistor Isolé | ||
Courant continu de Drain maximum (Id) 750 mA | ||
Tension Drain Source maximum (Vds) 30 V | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Nombre de broches 6 | ||
Type de Boitier US | ||
Série PowerTrench | ||
Hauteur 1 mm | ||
Longueur 2 mm | ||
Résistance Drain Source maximum (Rds) 400 mΩ | ||
Tension maximale de source de la grille (Vgs) 12 V, -12 V | ||
Température d'utilisation maximum 150 °C | ||
Dissipation de puissance maximum (Pd) 360 mW | ||
Température minimum de fonctionnemen -55 °C | ||
Type de montage En surface | ||
Largeur 1.25 mm | ||
PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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