MOSFET 2 canal N Isolé onsemi 2.7 A 20 V Enrichissement, 6 broches, SOT-23 PowerTrench Non
- Code commande RS:
- 166-2698
- Référence fabricant:
- FDC6305N
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
453,00 €
HT
543,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 6 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 07 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,151 € | 453,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 166-2698
- Référence fabricant:
- FDC6305N
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 2.7A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Série | PowerTrench | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 128mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 8V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 960mW | |
| Tension directe Vf | 0.77V | |
| Configuration du transistor | Isolé | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 1.7mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1mm | |
| Longueur | 3mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 2.7A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Série PowerTrench | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 128mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 8V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 960mW | ||
Tension directe Vf 0.77V | ||
Configuration du transistor Isolé | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 1.7mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1mm | ||
Longueur 3mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
Le FDC6305N est un transistor MOSFET à canal N avec un seuil bas. Conçu avec la technologie PowerTrench ®, il bénéficie d'une résistance à l'état passant et d'une faible charge de grille pour des performances de commutation supérieures.
Caractéristiques et avantages :
Faible charge de grille
• Vitesse de commutation rapide
Technologie PowerTrench ®
Très faible encombrement. 72 % plus petit qu'un SO08.
Le FDC6305N est généralement utilisé dans ces applications ;
Commutation de charge
Convertisseurs c.c./c.c.
• Entraînement de moteur
Transistor MOSFET à double canal N PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Les transistors MOSFET PowerTrench ® de ON Semis sont optimisés pour la commutation de puissance qui offrent un meilleur rendement du système et une plus grande densité de puissance. Ils combinent une petite charge de grille, une petite récupération inverse et une diode de corps à récupération inverse souple pour contribuer à la commutation rapide de la rectification synchrone dans les alimentations c.a./c.c.
Les performances de la diode à corps souple des transistors MOSFET PowerTrench® permettent d'éliminer les circuits Snubber ou de remplacer un MOSFET d'une tension nominale supérieure.
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET 2 canal Type N Isolé onsemi 2.7 A 20 V Enrichissement SOT-23 PowerTrench Non
- MOSFET 2 canal Type P 6 broches, SOT-23 PowerTrench Non
- MOSFET N onsemi 2.7 A 30 V Enrichissement SOT-23 PowerTrench
- MOSFET N onsemi 2.7 A 100 V Enrichissement SOT-23 PowerTrench
- MOSFET 2 canal Type N Isolé onsemi 2.5 A 30 V Enrichissement SOT-23 PowerTrench Non
- MOSFET 2 canal Type P Isolé onsemi 340 mA 60 V Enrichissement SOT-23 PowerTrench Non
- MOSFET 2 canal Type N Isolé onsemi 3 A 20 V Enrichissement SOT-23 PowerTrench Non
- MOSFET 2 canal Type P Isolé onsemi 1.9 A 20 V Enrichissement SOT-23 PowerTrench Non