MOSFET 2 canal N Isolé onsemi 2.5 A 30 V Enrichissement, 6 broches, SOT-23 PowerTrench Non
- Code commande RS:
- 166-2973
- Référence fabricant:
- FDC6561AN
- Marque:
- onsemi
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,155 € | 465,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 166-2973
- Référence fabricant:
- FDC6561AN
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 2.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | PowerTrench | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 152mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 2.3nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Tension directe Vf | 0.78V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 960mW | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Configuration du transistor | Isolé | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 1.7mm | |
| Longueur | 3mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 2.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série PowerTrench | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 152mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 2.3nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Tension directe Vf 0.78V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 960mW | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Configuration du transistor Isolé | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 1.7mm | ||
Longueur 3mm | ||
Hauteur 1mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET à double canal N PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Les transistors MOSFET PowerTrench ® de ON Semis sont optimisés pour la commutation de puissance qui offrent un meilleur rendement du système et une plus grande densité de puissance. Ils combinent une petite charge de grille, une petite récupération inverse et une diode de corps à récupération inverse souple pour contribuer à la commutation rapide de la rectification synchrone dans les alimentations c.a./c.c.
Les performances de la diode à corps souple des transistors MOSFET PowerTrench® permettent d'éliminer les circuits Snubber ou de remplacer un MOSFET d'une tension nominale supérieure.
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
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