MOSFET canal N onsemi 900 mA 20 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 PowerTrench

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Code commande RS:
166-2662
Référence fabricant:
FDV305N
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

900mA

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Type de Boitier

SOT-23

Série

PowerTrench

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

220mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

1.1nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

750mV

Tension maximale de source de la grille Vgs

-12V, +12V

Dissipation de puissance maximum Pd

350mW

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

1.3mm

Normes/homologations

No

Hauteur

930μm

Longueur

2.92mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, jusqu'à 9,9 A, Fairchild Semiconductor


Transistors MOSFET, ON Semi


On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

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