MOSFET N onsemi 170 mA 100 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 PowerTrench
- Code commande RS:
- 545-0135
- Référence fabricant:
- BSS123LT1G
- Marque:
- onsemi
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
1,10 €
HT
1,30 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 260 unité(s) prête(s) à être expédiée(s)
- Plus 2 240 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,11 € | 1,10 € |
| 100 - 240 | 0,094 € | 0,94 € |
| 250 - 490 | 0,083 € | 0,83 € |
| 500 - 990 | 0,072 € | 0,72 € |
| 1000 + | 0,066 € | 0,66 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 545-0135
- Référence fabricant:
- BSS123LT1G
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 170mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Série | PowerTrench | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 6Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 160nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 225mW | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 0.94mm | |
| Longueur | 2.9mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 170mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Série PowerTrench | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 6Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 160nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 225mW | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 0.94mm | ||
Longueur 2.9mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Statut RoHS : Exempté
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 100 V à 1700 V, ON Semiconductor
Transistors MOSFET, ON Semiconductor
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N onsemi 170 mA 100 V Enrichissement SOT-23 PowerTrench
- MOSFET N onsemi 170 mA 100 V Enrichissement SOT-23 PowerTrench AEC-Q100 AEC-Q200
- MOSFET N onsemi 900 mA 20 V Enrichissement SOT-23 PowerTrench
- MOSFET N onsemi 1.6 A 150 V Enrichissement SOT-23 PowerTrench
- MOSFET N onsemi 2.3 A 150 V Enrichissement SOT-23 PowerTrench
- MOSFET N onsemi 3 A 80 V Enrichissement SOT-23 PowerTrench
- MOSFET N onsemi 2.7 A 100 V Enrichissement SOT-23 PowerTrench
- MOSFET N onsemi 4.3 A 60 V Enrichissement SOT-23 PowerTrench
