MOSFET N onsemi 170 mA 100 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 PowerTrench
- Code commande RS:
- 545-0135
- Référence fabricant:
- BSS123LT1G
- Marque:
- onsemi
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- Code commande RS:
- 545-0135
- Référence fabricant:
- BSS123LT1G
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 170mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Série | PowerTrench | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 6Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 160nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 225mW | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 0.94mm | |
| Longueur | 2.9mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 1.3mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 170mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Série PowerTrench | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 6Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 160nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 225mW | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 0.94mm | ||
Longueur 2.9mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 1.3mm | ||
Standard automobile Non | ||
Statut RoHS : Exempté
- Pays d'origine :
- FR
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 100 V à 1700 V, ON Semiconductor
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