Références fabricant

MOSFET canal N onsemi 170 mA 100 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 PowerTrench AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

Code commande RS:: 124-1693
Référence fabricant:: BSS123
Marque:: onsemi

MOSFET canal N onsemi 170 mA 100 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 PowerTrench AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

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Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 - 6000	0,098 €	294,00 €
9000 - 21000	0,089 €	267,00 €
24000 +	0,08 €	240,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 124-1693
Référence fabricant:: BSS123
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	170mA
	Tension Drain Source maximum Vds	100V
	Type de Boitier	SOT-23
	Série	PowerTrench
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	6Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd	360mW
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	1.8nC
	Tension directe Vf	1.3V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20, +20V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Longueur	2.92mm
	Hauteur	0.93mm
	Normes/homologations	No
	Largeur	1.3mm
	Standard automobile	AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 170mA
	Tension Drain Source maximum Vds 100V
	Type de Boitier SOT-23
	Série PowerTrench
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 6Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd 360mW
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 1.8nC
	Tension directe Vf 1.3V
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20, +20V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Longueur 2.92mm
	Hauteur 0.93mm
	Normes/homologations No
	Largeur 1.3mm
	Standard automobile AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

Datasheet

Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, jusqu'à 9,9 A, Fairchild Semiconductor

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

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