Références fabricant

MOSFET canal N onsemi 1.6 A 150 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 PowerTrench

Code commande RS:: 759-9655
Référence fabricant:: FDN86246
Marque:: onsemi

MOSFET canal N onsemi 1.6 A 150 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 PowerTrench

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Code commande RS:: 759-9655
Référence fabricant:: FDN86246
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	1.6A
	Tension Drain Source maximum Vds	150V
	Série	PowerTrench
	Type de Boitier	SOT-23
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	481mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd	1.5W
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Tension directe Vf	830mV
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	2.9nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Normes/homologations	No
	Longueur	1.4mm
	Hauteur	940μm
	Largeur	2.92mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 1.6A
	Tension Drain Source maximum Vds 150V
	Série PowerTrench
	Type de Boitier SOT-23
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 481mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd 1.5W
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Tension directe Vf 830mV
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 2.9nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Normes/homologations No
	Longueur 1.4mm
	Hauteur 940μm
	Largeur 2.92mm
	Standard automobile Non

FDN86246, PowerTrench 150V N-Channel MOSFET

Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, jusqu'à 9,9 A, Fairchild Semiconductor

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

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