MOSFET N onsemi 11.5 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 PowerTrench
- Code commande RS:
- 166-3576
- Référence fabricant:
- FDD5353
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
1 660,00 €
HT
1 992,50 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 14 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,664 € | 1 660,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 166-3576
- Référence fabricant:
- FDD5353
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 11.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | PowerTrench | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 20mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 69W | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 46nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Hauteur | 2.39mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 11.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série PowerTrench | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 20mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 69W | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 46nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 6.73mm | ||
Hauteur 2.39mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, de 10 A à 19,9 A, Fairchild Semiconductor
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N onsemi 11.5 A 60 V Enrichissement TO-252 PowerTrench
- MOSFET PowerTrench P onsemi 50 A 40 V Enrichissement TO-252 PowerTrench
- MOSFET N onsemi 50 A 60 V Enrichissement TO-252 PowerTrench
- MOSFET N onsemi 36 A 100 V Enrichissement TO-252 PowerTrench
- MOSFET N onsemi 8 A 100 V Enrichissement TO-252 PowerTrench
- MOSFET N onsemi 14 A 150 V Enrichissement TO-252 PowerTrench
- MOSFET N onsemi 42 A 40 V Enrichissement TO-252 PowerTrench
- MOSFET N onsemi 8 A 150 V Enrichissement TO-252 PowerTrench
