MOSFET N onsemi 11.5 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 PowerTrench
- Code commande RS:
- 809-0896
- Référence fabricant:
- FDD5353
- Marque:
- onsemi
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
8,47 €
HT
10,165 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 04 mars 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,694 € | 8,47 € |
| 50 - 95 | 1,462 € | 7,31 € |
| 100 - 495 | 1,268 € | 6,34 € |
| 500 - 995 | 1,114 € | 5,57 € |
| 1000 + | 1,012 € | 5,06 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 809-0896
- Référence fabricant:
- FDD5353
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 11.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | PowerTrench | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 20mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 69W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 46nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 2.39mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 6.22mm | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 11.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série PowerTrench | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 20mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 69W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 46nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 2.39mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 6.22mm | ||
Longueur 6.73mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, de 10 A à 19,9 A, Fairchild Semiconductor
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N onsemi 11.5 A 60 V Enrichissement TO-252 PowerTrench
- MOSFET PowerTrench P onsemi 50 A 40 V Enrichissement TO-252 PowerTrench
- MOSFET N onsemi 50 A 60 V Enrichissement TO-252 PowerTrench
- MOSFET N onsemi 70 A 40 V Enrichissement TO-252 PowerTrench
- MOSFET N onsemi 8 A 150 V Enrichissement TO-252 PowerTrench
- MOSFET N onsemi 26 A 150 V Enrichissement TO-252 PowerTrench
- MOSFET N onsemi 15.7 A 100 V Enrichissement TO-252 PowerTrench
- MOSFET N onsemi 11.4 A 150 V Enrichissement TO-252 PowerTrench