MOSFET P onsemi 4 A 20 V Enrichissement, 6 broches, SOT-23 PowerTrench
- Code commande RS:
- 166-3705
- Référence fabricant:
- FDC642P
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 166-3705
- Référence fabricant:
- FDC642P
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Série | PowerTrench | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 100mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.6W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 11nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 12V | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 3mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 1.7mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Série PowerTrench | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 100mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.6W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 11nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 12V | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 3mm | ||
Hauteur 1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 1.7mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET à canal P, automobile, Fairchild Semiconductor
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