MOSFET P onsemi 4 A 20 V Enrichissement, 6 broches, SOT-23 PowerTrench

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Code commande RS:
809-0865
Référence fabricant:
FDC642P
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

4A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Série

PowerTrench

Type de Boitier

SOT-23

Type de montage

Surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

100mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

1.6W

Tension directe Vf

-1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

11nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Longueur

3mm

Hauteur

1mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET à canal P, automobile, Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductor propose des solutions permettant de résoudre des problèmes complexes dans le marché de l'automobile, avec une bonne maîtrise de la qualité, de la sécurité et des normes de fiabilité.

Transistors MOSFET, ON Semi


On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

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