MOSFET N STMicroelectronics 35 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STripFET
- Code commande RS:
- 168-7481
- Référence fabricant:
- STD35NF06T4
- Marque:
- STMicroelectronics
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
1 150,00 €
HT
1 375,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 12 500 unité(s) expédiée(s) à partir du 04 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,46 € | 1 150,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 168-7481
- Référence fabricant:
- STD35NF06T4
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 35A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | STripFET | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 20mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 44.5nC | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 80W | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 2.4mm | |
| Longueur | 6.6mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 35A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série STripFET | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 20mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 44.5nC | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 80W | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 2.4mm | ||
Longueur 6.6mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N STMicroelectronics 35 A 60 V Enrichissement TO-252 STripFET
- MOSFET N STMicroelectronics 35 A 60 V Enrichissement TO-252 STripFET II
- MOSFET P STMicroelectronics 35 A 60 V Enrichissement TO-252 STripFET F6
- MOSFET N STMicroelectronics 24 A 60 V Enrichissement TO-252 STripFET
- MOSFET N STMicroelectronics 16 A 60 V Enrichissement TO-252 STripFET
- MOSFET N STMicroelectronics 60 A 60 V Enrichissement TO-252 STripFET II
- MOSFET N STMicroelectronics 12 A 60 V Enrichissement TO-252 STripFET II
- MOSFET P STMicroelectronics 10 A 60 V Enrichissement TO-252 STripFET
