MOSFET canal N STMicroelectronics 12 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STripFET II

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100 - 4900,484 €4,84 €
500 - 9900,374 €3,74 €
1000 - 24900,341 €3,41 €
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Code commande RS:
151-907
Référence fabricant:
STD12NF06LT4
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

12A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

STripFET II

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

90mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

7.5nC

Tension directe Vf

1.5V

Tension maximale de source de la grille Vgs

16V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

6.6mm

Longueur

10.1mm

Normes/homologations

RoHS

Hauteur

2.4mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le MOSFET de puissance de STMicroelectronics est spécialement conçu pour minimiser la capacité d'entrée et la charge de grille. Ce dispositif peut donc être utilisé comme commutateur primaire dans des convertisseurs DC-DC isolés à haut rendement pour les télécommunications et les applications informatiques, ainsi que dans des applications nécessitant une faible charge de grille.

Capacité dv/dt exceptionnelle

Testé à 100% en avalanche

Faible charge de grille

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