MOSFET canal N STMicroelectronics 12 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STripFET II
- Code commande RS:
- 151-906
- Référence fabricant:
- STD12NF06LT4
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 0,349 € | 872,50 € |
| 5000 + | 0,345 € | 862,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 151-906
- Référence fabricant:
- STD12NF06LT4
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 12A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | STripFET II | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 90mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 16V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 10.1mm | |
| Largeur | 6.6mm | |
| Hauteur | 2.4mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 12A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série STripFET II | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 90mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 16V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 10.1mm | ||
Largeur 6.6mm | ||
Hauteur 2.4mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance de STMicroelectronics est spécialement conçu pour minimiser la capacité d'entrée et la charge de grille. Ce dispositif peut donc être utilisé comme commutateur primaire dans des convertisseurs DC-DC isolés à haut rendement pour les télécommunications et les applications informatiques, ainsi que dans des applications nécessitant une faible charge de grille.
Capacité dv/dt exceptionnelle
Testé à 100% en avalanche
Faible charge de grille
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