MOSFET canal N STMicroelectronics 10 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh

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Code commande RS:
168-7484
Référence fabricant:
STP10NM60N
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

10A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Série

MDmesh

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

550mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.3V

Tension maximale de source de la grille Vgs

25V

Dissipation de puissance maximum Pd

70W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

19nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Hauteur

15.75mm

Longueur

10.4mm

Largeur

4.6mm

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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