MOSFET N STMicroelectronics 10 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh

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760-9972
Référence fabricant:
STP10NM60N
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

10A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-220

Série

MDmesh

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

550mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.3V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

19nC

Dissipation de puissance maximum Pd

70W

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

15.75mm

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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