MOSFET canal N STMicroelectronics 29 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh
- Code commande RS:
- 761-0106
- Référence fabricant:
- STP34NM60N
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
9,47 €
HT
11,36 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 662 unité(s) expédiée(s) à partir du 14 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 9,47 € |
| 10 - 999 | 5,34 € |
| 1000 + | 5,03 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 761-0106
- Référence fabricant:
- STP34NM60N
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 29A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Série | MDmesh | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 105mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 84nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 210W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 4.6mm | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Hauteur | 15.75mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 29A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Série MDmesh | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 105mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 84nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 210W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 4.6mm | ||
Longueur 10.4mm | ||
Hauteur 15.75mm | ||
Standard automobile Non | ||
Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics
Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N STMicroelectronics 29 A 600 V Enrichissement TO-220 MDmesh
- MOSFET N STMicroelectronics 29 A 600 V Enrichissement TO-247 MDmesh
- MOSFET N STMicroelectronics 20 A 600 V Enrichissement TO-220 MDmesh
- MOSFET N STMicroelectronics 13 A 600 V Enrichissement TO-220 MDmesh
- MOSFET N STMicroelectronics 10 A 600 V Enrichissement TO-220 MDmesh
- MOSFET N STMicroelectronics 5 A 600 V Enrichissement TO-220 MDmesh
- MOSFET N STMicroelectronics 6.5 A 600 V Enrichissement TO-220 MDmesh
- MOSFET N STMicroelectronics 11 A 600 V Enrichissement TO-220 MDmesh