MOSFET Toshiba canal N, SOP 5,1 A 40 V, 8 broches

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Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	5,1 A
Tension Drain Source maximum	40 V
Type de boîtier	SOP
Série	TPC
Type de montage	CMS
Nombre de broches	8
Résistance Drain Source maximum	40 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	2.3V
Dissipation de puissance maximum	1,5 W
Configuration du transistor	Isolé
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit	2
Largeur	3.9mm
Charge de Grille type @ Vgs	10 nC @ 10 V
Longueur	4.9mm
Matériau du transistor	Si
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Hauteur	1.52mm

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