MOSFET 1 canal N Simple STMicroelectronics 12 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh M2

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Code commande RS:
168-8839
Référence fabricant:
STP18N65M2
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

12A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Série

MDmesh M2

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

330mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

25V, -25V

Tension directe Vf

1.6V

Dissipation de puissance maximum Pd

110W

Configuration du transistor

Simple

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

4.6mm

Longueur

10.4mm

Hauteur

15.75mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Pays d'origine :
CN

Série MDmeshTM M2 à canal N, STMicroelectronics


Une gamme de transistors MOSFET de puissance haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes caractéristiques de capacité de sortie, la série MDmesh M2 est parfaite pour une utilisation dans les alimentations de commutation de type résonant (convertisseurs LLC).

Transistors MOSFET, STMicroelectronics


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