MOSFET N STMicroelectronics 12 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh M2 AEC-Q101

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Code commande RS:
168-8936
Référence fabricant:
STF16N60M2
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

12A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-220

Série

MDmesh M2

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

320mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

19nC

Tension directe Vf

1.5V

Dissipation de puissance maximum Pd

25W

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Longueur

10.4mm

Hauteur

16.4mm

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN

Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics


Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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