MOSFET canal N STMicroelectronics 3.5 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh M2

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829-4433
Référence fabricant:
STP5N60M2
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

3.5A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-220

Série

MDmesh M2

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.4Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

45W

Tension directe Vf

1.6V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

-25V, +25V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

8.5nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

4.6mm

Hauteur

15.75mm

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics


Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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