MOSFET canal N DiodesZetex 2.1 A 60 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q104

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169-4151
Référence fabricant:
ZVN4306GTA
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

2.1A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

SOT-223

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

330mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

3W

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Largeur

3.7mm

Hauteur

1.65mm

Longueur

6.7mm

Standard automobile

AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q104

Transistor MOSFET à canal N, 40 à 90 V, Diodes Inc


Transistors MOSFET, Diodes Inc.


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