MOSFET onsemi canal P, SOT-23 120 mA 60 V, 3 broches

Code commande RS:: 169-8538
Référence fabricant:: NDS0610
Marque:: onsemi

MOSFET onsemi canal P, SOT-23 120 mA 60 V, 3 broches

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Code commande RS:: 169-8538
Référence fabricant:: NDS0610
Marque:: onsemi

Documentation technique

Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23

Législation et Conformité

Détail produit

MOSFET à canal P à mode d'enrichissement, on Semiconductor

La gamme de transistors MOSFET à canal P d'ON Semiconductors est produite à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité de cellules d'ON Semi. Ce processus à très haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant afin de fournir des performances robustes et fiables pour une commutation rapide.

Caractéristiques et avantages :

Commutateur de petit signal à canal P contrôlé par tension
Conception de cellule haute densité
• Courant de saturation élevé
• commutation supérieure
Excellentes performances robustes et fiables
Technologie DMOS

Applications :

Commutation de charge
• Convertisseur c.c./c.c.
Protection de batterie
• Commande de gestion de l'alimentation
Commande de moteur c.c.

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	P
Courant continu de Drain maximum	120 mA
Tension Drain Source maximum	60 V
Type de boîtier	SOT-23
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	10 Ω
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille	1V
Dissipation de puissance maximum	360 mW
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Longueur	2.92mm
Matériau du transistor	Si
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Nombre d'éléments par circuit	1
Largeur	1.3mm
Charge de Grille type @ Vgs	1,8 nC @ 10 V
Hauteur	0.93mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C