MOSFET Infineon canal N, A-220 100 A 150 V, 3 broches

Le transistor OptiMOS™ 150 V atteint une réduction de la R DS(on) de 40 % et du facteur de mérite (FOM) de 45 % par rapport au meilleur concurrent. Cette importante amélioration ouvre de nouvelles possibilités, telles que le passage des boîtiers câblés aux boîtiers CMS ou le remplacement efficace de deux pièces anciennes par une pièce OptiMOS™.

Résumé des caractéristiques :
Excellentes performances de commutation
R DS(on) la plus faible au monde
Très faible QG et Q GD
Une excellente charge de grille x R DS(on) produit (FOM)
Sans halogène
Avantages :
Ecologique.
Rendement accru
Densité de puissance la plus élevée
Moins de mise en parallèle nécessaire
Très petite consommation d'espace sur la carte
Produits faciles à concevoir
Applications :
Rectification synchrone pour alimentations à découpage (SMPS) c.a.-c.c.
Commande de moteur 48 - 80 V (véhicules domestiques, outils électriques, camions)
Convertisseurs c.c.-c.c. isolés (systèmes de télécommunications et de communication)
Commutateurs OR-ing et disjoncteurs dans les systèmes 48 V
Amplificateurs audio de classe D
Alimentations sans interruption (UPS)